回收LPDDR34XMT53B384M64D4NZ-053WT:C

SK海力士已經確認與臺積電在下一代高帶寬存儲器（HBM）的量產上合作。SK海力士決定將HBM4基礎芯片的半導體前端工藝（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等交由臺積電負責，而從晶圓測試到HBM組裝、已知良好堆疊芯片（KGSD）測試等后續工藝則在自家的后端工藝工廠進行。這意味著傳統的前道工藝將由臺積電承擔，之后的工藝則由SK海力士負責。
上式為磁鐵激磁的步進電機產生的電磁轉矩，因此有下面的公式：E0=NdΦ/dtθ=ωtω=Nrωm式中，Φ為交鏈磁通，θ為轉子轉動角，ω為電氣角速度，N為相線圈匝數。E0=NdΦ/dt由法拉第定律得來。θ=ωt為機械角與電氣角的關系式，把上式代入到T=E0I/ωm可得：T=E0I/ωm=N(dΦ/dt)I/ωm=N(dΦ/dθ)(dθ/dt)I/ωm=N(ω/ωm)(dΦ/dθ)I(dΦ/dθ)=NNrI(dΦ/dθ)步進電機的轉矩由永磁體產生的交鏈磁通變化率與流過線圈電流之積產生為感應電動勢，圖表示如下：將此E0代入T=E0I/ωm，單相轉矩變為下式：T1=2NIBLr依據圖，磁鐵激磁的步進電機轉矩公式為（T1=2NIBLr），當Nr=1時，轉矩公式與直流電機的轉矩公式（T=2NIBLr）相同，直流電機的氣隙磁通B，相當于步進電機的交鏈磁通的有效當量部分總和。

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