回收高速HBM3EJS29F16B08JAMDA



旺宏電子4月營收21.18億元（新臺幣，下同）、月增0.2%、年減29.6%，累計前4月營收為78.78億元、年減22.1%，旺宏電子3D NOR Flash已于去年完成芯片測試，其中以4Gb產品進度Zui快，預估在今年下半年進入市場，并于明年量產。旺宏強調，原有的NOR Flash產品在市場上約有2成的占有率，研發的3D堆疊方式產品將瞄準車用等高利基型市場。3D NAND Flash新品，目前則在Zui后制程調整階段，主要出貨給任天堂游戲片使用，預期今年下半年完成送樣，并在明年下半年開始挹注收益。此外，旺宏電子與IBM合作開發的SSD以300多層3D NAND Flash堆疊，預計開發期需要三年時間，未來公司的晶圓廠將會著力于生產3D NAND Flash，控制芯片則會委外代工。

回收陀螺儀，六軸陀螺儀，角度傳感器，距離傳感器，博世傳感器，溫度傳感器，光線傳感器，三軸陀螺儀，九軸陀螺儀等。

 回收貼片電容，直插電容，安規電容，陶瓷電容，電解電容，鉭電容，磁珠，電感，電阻，晶振，直插晶振，貼片晶振，32.768MHZ，低壓電容，大電解電容，熱敏電阻，光敏電阻等。

 回收4G模塊，3G模塊，GPRS模塊，通信模塊，發射模塊，功率模塊，藍牙模塊，wi-fi模塊，無線模塊，電源模塊，光纖模塊，IG模塊等。

 回收高頻管，IG管，晶體管，MOS管，場效應管，三極管，二極管，貼片三極管，直插三極管，進口三極管，國產三極管，激光管，發射管，紅外管，數碼管等。


MOS管型防反接保護電路利用了MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，現在MOSFETRds（on）已經能夠做到毫歐級，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯連接。一旦被保護電路的電源極性反接，保護用場效應管會形成斷路，防止電流燒毀電路中的場效應管元件，保護整體電路。N溝道MOS管防反接保護電路電路如示N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接于電源和負載之間，電阻R1為MOS管提供電壓偏置，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
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H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042