回收FLASH閃存Z9PHKMT41K512M8THV-125ES:M
SK海力士已經確認與臺積電在下一代高帶寬存儲器（HBM）的量產上合作。SK海力士決定將HBM4基礎芯片的半導體前端工藝（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等交由臺積電負責，而從晶圓測試到HBM組裝、已知良好堆疊芯片（KGSD）測試等后續工藝則在自家的后端工藝工廠進行。這意味著傳統的前道工藝將由臺積電承擔，之后的工藝則由SK海力士負責。

新產品和技術方面，鎧俠推出了一代的UFS 4.0嵌入式閃存產品，并開始生產采用CBA技術的第八代BiCS FLASH?，以提升性能和成本效益。


展望未來，鎧俠認為供需平衡持續改善，市場價格將不斷上漲。在PC和智能手機需求方面，隨著原廠控制生產外加客戶庫存逐漸正常化，PC和智能手機市場需求正在復蘇，而人工智能功能模型的激增、單位存儲容量的增長以及軟件的更新也將推動著換機需求增加。


服務器和企業級SSD需求方面，鎧俠預計在人工智能應用高密度和大容量SSD的推動下，數據中心和企業級SSD需求將在2024年下半年呈現復蘇趨勢。隨著人工智能應用和單位存儲容量需求不斷增長，業界對閃存市場的增長潛力和長期潛在需求驅動因素仍然充滿信心。

鎧俠將根據市場狀況繼續優化生產和運營費用。

兩相3.6°步進電機定子主極為4（在定轉子間會產生不平衡電磁力，所以不鼓勵使用此結構）時，依式Nr=m（nP±1/2），當P=2，m=2，n=6時，得Nr=25。小圖為兩相，定子4主極，3.6°的步進電機結構，其外形為42mm步進電機，用于5寸48TPI的FDD(軟盤驅動器）上。當為三相時，由式Nr=m（nP±1/2），m=4，n=4，P=3，得Nr=50。定子主極數為mP=12，步距角θs為1.2°。

H9HCNNNBKMMLXR-NEE
H9HCNNNBKUMLHR-NEN
H9HCNNNBKUMLHR-NEO
H9HCNNNBKUMLHR-NME
H9HCNNNBKUMLHR-NMN
H9HCNNNBKUMLHR-NMO
H9HCNNNBKUMLXR-NEE
H9HCNNNBPUMLHR-NLE
H9HCNNNBPUMLHR-NLN
H9HCNNNBPUMLHR-NME
H9HCNNNBPUMLHR-NMN
H9HCNNNBPUMLHR-NMO
H9HCNNNBUUMLHR-NLM
H9HCNNNCPMALHR-NEE
H9HCNNNCPMALHR-NME
H9HCNNNCPMALHR-NMM
H9HCNNNCPMALHR-NMN
H9HCNNNCPMMLHR-NEE
H9HCNNNCPMMLHR-NME
H9HCNNNCPMMLHR-NMO