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隨著兩家公司的合作消息傳出，業界對臺積電將承擔多少基礎芯片生產過程的疑問增多。SK海力士通過臺積電的代工廠工藝生產HBM4基礎芯片的原因是為了滿足客戶對HBM定制化的需求。為此，兩家公司在4月份在臺灣臺北簽署了關于HBM4基礎芯片生產的諒解備忘錄（MOU）。業界預計，SK海力士將通過臺積電的7納米工藝生產HBM4基礎芯片。HBM4 12層產品的量產預計將在明年下半年進行。16層產品則計劃在2026年開始量產。SK海力士在HBM4量產中也將采用與HBM3E相同的先進多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技術和1bnm DRAM。
嚴禁帶病和酒后進行試驗。被試物須無機械損傷，與試驗物周圍帶電體應有足夠安全間距，被試物應可靠接地。穿戴好防護用品。試驗電工工作中要求。試驗時不少于二人，應一名有經驗者為試驗負責人。高壓試驗人員應明確分工，試驗時應裝遮欄，或在被試區專人警戒。試驗負責人在現場發令，其他人應服從指揮。當發現人員，設備危險時，有權停止試驗。試驗中，試驗人員不準擅離崗位。特殊情況要離開時，應停止試驗，拆除試驗電源。重新試驗要檢查結線無變動后，方可接上電源。

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