2024年5月16日,Dreamtech宣布正式進入半導體模塊業務,旨在為存儲芯片公司提供DRAM模塊和SSD等產品。公司計劃在印度諾伊達工廠生產存儲模塊,并預計明年下半年實現年銷售額1000億韓元(約合七千四百萬美元)。此戰略舉措是為了應對人工智能(AI)半導體需求的激增,并利用其在智能手機部件模塊生產上的豐富經驗。
回收陀螺儀,六軸陀螺儀,角度傳感器,距離傳感器,博世傳感器,溫度傳感器,光線傳感器,三軸陀螺儀,九軸陀螺儀等。
回收貼片電容,直插電容,安規電容,陶瓷電容,電解電容,鉭電容,磁珠,電感,電阻,晶振,直插晶振,貼片晶振,32.768MHZ,低壓電容,大電解電容,熱敏電阻,光敏電阻等。
回收4G模塊,3G模塊,GPRS模塊,通信模塊,發射模塊,功率模塊,藍牙模塊,wi-fi模塊,無線模塊,電源模塊,光纖模塊,IG模塊等。
回收高頻管,IG管,晶體管,MOS管,場效應管,三極管,二極管,貼片三極管,直插三極管,進口三極管,國產三極管,激光管,發射管,紅外管,數碼管等。
三級菜單分別為;功能參數組(一級菜單);功能碼菜單(二級菜單);功能碼設定值(三級菜單)。一般都是從功能參數組(一級菜單)進入功能碼(二級菜單)再進入功能碼設定值(三級菜單)。如下圖所示。在進行三級菜單操作時,可以按PRG鍵或者是ENTER鍵返回二級菜單,兩者的區別僅僅是;按ENTER鍵將設定參數保存后返回二級菜單,并且能夠自動轉移到下一個功能碼;而按PRG鍵則是放棄當前的參數修改,直接返回當前功能碼序號的二級菜單。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
H58G56AK6QX032
H58G56AK6VX032
H58G56MK6BX024
H58G56MK6PX024
H58G56MK6QX024
H58G56MK6VX024
H58G66MK6BX026
H58G66MK6PX026
H58G66MK6QX026
H58G66MK6VX026
H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042
- 高價回收芯片MT53E256M32D2FW-046IT:B 2024-11-01
- 回收LPDDR34XMT53E1G64D8NW-046WT:F 2024-11-01
- 回收LPDDR34XD9QWZ MT41K128M16JT-107MAIT:K 2024-11-01
- 回收FLASH閃存Z9RXP MT41K2G4TAD-15EES:D 2024-11-01
- 求購存儲芯片Z9KQS MT41K128M8JP-25ES:F 2024-11-01
- 需求DDR內存Z9RPH MT40A256M32TWB-125EMES:A 2024-11-01
- 長期收購ICMT53E512M64D4RQ-046WT:F 2024-11-01
- 高價回收芯片H9CCNNNBJTMLAR-NVD 2024-11-01
- 回收EMMC閃存H26M42001EFA 2024-11-01
- 需求內存顆粒MT29F256G08CMCDBJ5-6CES:D 2024-11-01
- 回收FLASH閃存D9RDN MT41K64M16JT-107G:J 2024-11-01
- 回收EMMC閃存Z9MRR MT41J1G4THV-125ES:H 2024-11-01
- 回收LPDDR34XZ9SCK MT40A512M8HX-075ES:A 2024-11-01
- 長期高價回收MT29F256G08CMCABH2-10R:A 2024-11-01
- 需求內存顆粒MT29F256G08CKCABH2-10Z:A 2024-11-01
聯系方式
- 電 話:18922804861
- 聯系人:羅生
- 手 機:18922804861
- 微 信:18922804861