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通過代工廠工藝生產基礎芯片，預計將能夠應用各種設計知識產權（IP）。去年，SK海力士副社長樸明在在韓國電子工程學會（IEIE）學術會議上解釋了通過代工廠工藝生產基礎芯片的好處，稱“可以應用多種設計知識產權（IP）到基礎芯片上”。此外，SK海力士在13日舉行的2024年存儲器研討會（IMW）上公開了第7代HBM產品HBM4E的量產時間表。SK海力士表示：“HBM的開發周期加快了”，并宣布“計劃在2026年開始HBM4E產品的量產”。HBM4E的生產預計將使用1c DRAM。
MOS管型防反接保護電路利用了MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，現在MOSFETRds（on）已經能夠做到毫歐級，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯連接。一旦被保護電路的電源極性反接，保護用場效應管會形成斷路，防止電流燒毀電路中的場效應管元件，保護整體電路。N溝道MOS管防反接保護電路電路如示N溝道MOS管通過S管腳和D管腳串接于電源和負載之間，電阻R1為MOS管提供電壓偏置，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。

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