需求內存顆粒MT53E768M32D4DT-053AAT:E


三態R-S鎖存觸發器C044B。內部電路結構與引腳功能見下圖。圖CD4044B三態R-S鎖存器將基本的R-S觸發器加以改造，如在輸出側增設傳輸開關，就可得到具有三態傳輸功能的R-S觸發器。從其內部電路結構可看出，a)增加了EN使能控制端，高電平為通態，低電平為關態；b)增加了受控輸出級，為三態輸出模式，當EN端為低電平時，輸出級相對于外部電路，為高阻態。從檢修角度出發，我們需要注意的著重點是在線如何確定芯片好壞，并找到（引腳功能、尺寸適宜的）替代元件。

長期回收以下電子（品牌）

 

亞德諾，賽普拉斯，賽靈思，美臺，凌力爾特，萊迪斯，電源，PMC，豪威，MPS，艾迪悌，HITTITE,威世，安華高，微芯，鎂光，閃迪，美信，晨星等。

 

博通，安捷倫，愛特梅爾，德州儀器，威訊，PERICOM,SEMTECH,順利卡，安森美，阿爾特拉，ALPHA,安霸，LNOWLES,新思，英特矽爾，應美盛，普瑞科技，思旺等。

 

格科微，海思，華為，匯頂科技，集創北方，炬力，昆騰微，全志，瑞芯微，思比科微，思立微，瀚瑞微，展訊，三星，海力士，恩智浦，意法，JRC等。

 

東芝，爾必達，富士通，精工，理光，羅姆，南亞，日立，瑞薩，三菱，松下，晶毫科技，普誠科技，瑞昱，敦泰科技，SST,合泰，華邦，聯發科等。

 

聯詠，旺宏，原相，科銳，思佳訊，矽映，英業達，艾邁斯，派視爾，凌陽，NEXTCHIP,晶相，立锜，佐臻，凌通等。

高可靠性：寫入/擦除次數達10萬次，支持-40℃~85℃寬溫工作工業、車載等領域的設備在特殊工作環境下運行，包括高低溫運行、至少保證10年以上壽命等，相應的SPI NOR Flash必須遵循嚴格的工業級標準，具備高可靠性。TGN298系列采用了55nm制程工藝，寫入/擦除次數（P/E Cycle）達10萬次，數據有效保存期限可達20年，同時產品支持-40℃~85℃寬溫工作環境以及2.7V~3.6V工作電壓，關斷電流低至 1μA，從容應對各種復雜環境，有效保障設備持久、可靠運行。此外，產品支持ID、安全的OTP、安全存儲等多種安全功能，可為OTA更新和設備身份驗證等操作提供高規格防護，確保高安全性。


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