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通過代工廠工藝生產基礎芯片，預計將能夠應用各種設計知識產權（IP）。去年，SK海力士副社長樸明在在韓國電子工程學會（IEIE）學術會議上解釋了通過代工廠工藝生產基礎芯片的好處，稱“可以應用多種設計知識產權（IP）到基礎芯片上”。此外，SK海力士在13日舉行的2024年存儲器研討會（IMW）上公開了第7代HBM產品HBM4E的量產時間表。SK海力士表示：“HBM的開發周期加快了”，并宣布“計劃在2026年開始HBM4E產品的量產”。HBM4E的生產預計將使用1c DRAM。
從而控制外部兩條獨立的收發信號線RXD(P3.0)、TXD(P3.1)，同時發送、接收數據，實現全雙工。串行口控制寄存器SCON(見表1)。表1SCON寄存器表中各位(從左至右為從高位到低位)含義如下。SM0和SM1：串行口工作方式控制位，其定義如表2所示。表2串行口工作方式控制位其中，fOSC為單片機的時鐘頻率;波特率指串行口每秒鐘發送(或接收)的位數。SM2：多機通信控制位。該僅用于方式2和方式3的多機通信。

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