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回收FLASH閃存MT41K1G8SN-107IT:A
發布時間: 2024-05-28 20:20 更新時間: 2024-11-01 08:04
回收FLASH閃存MT41K1G8SN-107IT:A
江波龍獲得一項發明專利授權,專利名為“一種DRAM的電壓控制電路、內存條及電子設備”,專利申請號為CN202010167846.X,授權日為2024年5月14日。專利摘要:本申請提供一種DRAM的電壓控制電路,包括:單片機,與內存條上的SPD芯片連接;調壓電路,與所述單片機連接,并與所述內存條上的至少一個DRAM連接,用于響應所述單片機的指令,對所述至少一個DRAM中的一個的電行調壓。本申請實現了對DRAM的電壓控制,無需在DRAM內單獨設計調壓電路,實現簡單,成本低且周期短,并且通過相互連接的單片機和調壓電路,大大提高DRAM顆粒運行的穩定性和兼容性。今年以來江波龍新獲得專利授權13個,較去年同期增加了62.5%。結合其2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了5.94億元,同比增66.74%。
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過流保護過流保護公式可參考如下:T=(K*S/I)3)其中,T表示切斷負載電路所需時間;K表示絕緣銅導線系數;S表示導線的截面積;I表示短路時電流大小。通過以上三個公式我們可以清楚的看出,動力和控制電路在設計中首先考慮的是機床器件的額定電流和線路負載電流,之后確定機床中使用導體線纜的橫截面積。當截容量達到1.45倍時是安全臨界點,超過這個臨界點時就會比較危險,要確保安全,必須在規定時間內通過。在達到Imax之前必須切斷電源。
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江波龍獲得一項發明專利授權,專利名為“一種DRAM的電壓控制電路、內存條及電子設備”,專利申請號為CN202010167846.X,授權日為2024年5月14日。專利摘要:本申請提供一種DRAM的電壓控制電路,包括:單片機,與內存條上的SPD芯片連接;調壓電路,與所述單片機連接,并與所述內存條上的至少一個DRAM連接,用于響應所述單片機的指令,對所述至少一個DRAM中的一個的電行調壓。本申請實現了對DRAM的電壓控制,無需在DRAM內單獨設計調壓電路,實現簡單,成本低且周期短,并且通過相互連接的單片機和調壓電路,大大提高DRAM顆粒運行的穩定性和兼容性。今年以來江波龍新獲得專利授權13個,較去年同期增加了62.5%。結合其2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了5.94億元,同比增66.74%。
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1.回收IC、回收芯片IC、回收家電IC、回收語音IC、回收數碼IC、回收IC、回收內存IC、回收電腦IC、回收手機IC、回收顯卡IC、回收網卡IC等。
2.回收wi-fi IC、回收閃存IC、回收單片機IC、回收U盤IC、回收射頻IC、回收無線IC、回收電源IC、回收編程IC、回收液晶IC、回收三星IC等。
3.回收美信IC、回收ADI IC、回收德州儀器IC、回收數碼相機IC、回收高通IC、回收英特爾IC、回收集成IC、回收觸摸IC、回收高頻IC、回收收發IC、回收攝像IC、回收IC等。
4.回收藍牙IC、回收鼠標IC、回收傳感器IC、回收觸摸屏IC、回收RF IC、回收發射IC、回收儀表IC、回收儀表儀器IC等。
5.回收導航IC、回收高頻頭IC、回收智能IC、回收語言IC、回收邏輯IC、回收液晶驅動IC、回收貼片IC、回收直插IC、回收通訊IC等。
過流保護過流保護公式可參考如下:T=(K*S/I)3)其中,T表示切斷負載電路所需時間;K表示絕緣銅導線系數;S表示導線的截面積;I表示短路時電流大小。通過以上三個公式我們可以清楚的看出,動力和控制電路在設計中首先考慮的是機床器件的額定電流和線路負載電流,之后確定機床中使用導體線纜的橫截面積。當截容量達到1.45倍時是安全臨界點,超過這個臨界點時就會比較危險,要確保安全,必須在規定時間內通過。在達到Imax之前必須切斷電源。
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