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求購存儲芯片MT53E128M32D2DS-053WT:A
發布時間: 2024-05-29 06:11 更新時間: 2024-11-01 08:04
求購存儲芯片MT53E128M32D2DS-053WT:A
江波龍獲得一項發明專利授權,專利名為“一種DRAM的電壓控制電路、內存條及電子設備”,專利申請號為CN202010167846.X,授權日為2024年5月14日。專利摘要:本申請提供一種DRAM的電壓控制電路,包括:單片機,與內存條上的SPD芯片連接;調壓電路,與所述單片機連接,并與所述內存條上的至少一個DRAM連接,用于響應所述單片機的指令,對所述至少一個DRAM中的一個的電行調壓。本申請實現了對DRAM的電壓控制,無需在DRAM內單獨設計調壓電路,實現簡單,成本低且周期短,并且通過相互連接的單片機和調壓電路,大大提高DRAM顆粒運行的穩定性和兼容性。今年以來江波龍新獲得專利授權13個,較去年同期增加了62.5%。結合其2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了5.94億元,同比增66.74%。
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SPD是電子設備雷電防護中不可缺少的一種裝置,其作用是把竄入電力線、信號傳輸線的瞬時過電壓限制在設備或系統所能承受的電壓范圍內,或將強大的雷電流泄流入地,保護被保護的設備或系統不受沖擊。浪涌保護器的類型和結構按不同的用途有所不同,但它至少應包含一個非線性電壓限制元件。用于浪涌保護器的基本元器件有:放電間隙、充氣放電管、壓敏電阻、二極管和扼流線圈等。按其工作原理分類,SPD可以分為電壓開關型、限壓型及組合型。
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江波龍獲得一項發明專利授權,專利名為“一種DRAM的電壓控制電路、內存條及電子設備”,專利申請號為CN202010167846.X,授權日為2024年5月14日。專利摘要:本申請提供一種DRAM的電壓控制電路,包括:單片機,與內存條上的SPD芯片連接;調壓電路,與所述單片機連接,并與所述內存條上的至少一個DRAM連接,用于響應所述單片機的指令,對所述至少一個DRAM中的一個的電行調壓。本申請實現了對DRAM的電壓控制,無需在DRAM內單獨設計調壓電路,實現簡單,成本低且周期短,并且通過相互連接的單片機和調壓電路,大大提高DRAM顆粒運行的穩定性和兼容性。今年以來江波龍新獲得專利授權13個,較去年同期增加了62.5%。結合其2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了5.94億元,同比增66.74%。
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2.回收wi-fi IC、回收閃存IC、回收單片機IC、回收U盤IC、回收射頻IC、回收無線IC、回收電源IC、回收編程IC、回收液晶IC、回收三星IC等。
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SPD是電子設備雷電防護中不可缺少的一種裝置,其作用是把竄入電力線、信號傳輸線的瞬時過電壓限制在設備或系統所能承受的電壓范圍內,或將強大的雷電流泄流入地,保護被保護的設備或系統不受沖擊。浪涌保護器的類型和結構按不同的用途有所不同,但它至少應包含一個非線性電壓限制元件。用于浪涌保護器的基本元器件有:放電間隙、充氣放電管、壓敏電阻、二極管和扼流線圈等。按其工作原理分類,SPD可以分為電壓開關型、限壓型及組合型。
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