長期收購ICD9MHCMT41J256M8HX-15EAAT:D

整體來看，三星、SK海力士和美光三大原廠，無一例外對于AI服務器需求展望持樂觀態度，原廠普遍認為AI服務器對HBM以及高性能高容量eSSD需求正快速增長，因此正積極調集可利用的NAND及DRAM產能，全力支持AI服務器相關的eSSD和HBM的供應增長。AI發展下半場的隱憂：AI大規模商業化尚需時日，大規模投產的HBM是否會供過于求？目前AI服務器市場正處于快速增長的初期階段，、微軟、谷歌、Meta等一眾互聯網科技巨頭均強調，AI基礎設施投資將驅動今年資本支出同比增長，國內互聯網公司和相關設備公司也均在全力推進AI技術的發展，部署AI服務器自然是新增AI投資的重中之重，這也為AI技術的長期發展奠定基礎。不過，AI發展的下半場仍有很多值得深思的地方。
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二季度為傳統需求淡季，下游及終端以按需補貨為主，存儲現貨市場整體需求乏力。由于消費端存儲需求短期難有實質性改善，加上今年618電商平臺熱度不及往年，部分存儲品牌僅做適當促銷，預計今年618消費類存儲出貨規模將有所下降。即便原廠仍在積極穩價，但考慮到消費類需求不佳，渠道和部分品牌出現庫存積壓，現貨市場競價出貨加劇，本周渠道和行業部分SSD價格小幅下調。


現貨嵌入式市場方面，部分終端品牌出于成本和供應考慮，積極引入更多存儲供應商，以抵御存儲行情的周期性波動。部分現貨嵌入式產品采用小容量的庫存資源進行堆疊，導致市場上部分容量價格有所參差，本周64GB eMMC和UFS價格小幅調整。近期雖然貿易端有部分wafer庫存釋出，但已通過手機終端驗證的NAND資源價格仍然較高。另外，由于部分嵌入式資源與服務器供應沖突，部分原廠稀缺資源的價格呈緩慢上漲趨勢，加上品牌終端釋出一定需求，從而支持現貨嵌入式行情整體相對穩定發展。


MOS管型防反接保護電路利用了MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，現在MOSFETRds（on）已經能夠做到毫歐級，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護將保護用場效應管與被保護電路串聯連接。保護用場效應管為PMOS場效應管或NMOS場效應管。若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護電路的接地端和電源端，其漏極連接被保護電路中PMOS元件的襯底。

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