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商行新聞
需求DDR內存MT29E2T08CUHBBM4-3:B
發布時間: 2024-05-29 06:26 更新時間: 2024-11-01 08:04
需求DDR內存MT29E2T08CUHBBM4-3:B

需求DDR內存MT29E2T08CUHBBM4-3:B

江波龍獲得一項發明專利授權,專利名為“一種DRAM的電壓控制電路、內存條及電子設備”,專利申請號為CN202010167846.X,授權日為2024年5月14日。專利摘要:本申請提供一種DRAM的電壓控制電路,包括:單片機,與內存條上的SPD芯片連接;調壓電路,與所述單片機連接,并與所述內存條上的至少一個DRAM連接,用于響應所述單片機的指令,對所述至少一個DRAM中的一個的電行調壓。本申請實現了對DRAM的電壓控制,無需在DRAM內單獨設計調壓電路,實現簡單,成本低且周期短,并且通過相互連接的單片機和調壓電路,大大提高DRAM顆粒運行的穩定性和兼容性。今年以來江波龍新獲得專利授權13個,較去年同期增加了62.5%。結合其2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了5.94億元,同比增66.74%。
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H5GH24AFR-T2C
H5GH24AJR-R0C
H5GH24AJR-R4C
H5GH24AJR-T2C
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H5GC8H24AJR-R0C
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H5GC8H24AJR-R2C
H5GC8H24MJR-R0C
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回收陀螺儀,六軸陀螺儀,角度傳感器,距離傳感器,博世傳感器,溫度傳感器,光線傳感器,三軸陀螺儀,九軸陀螺儀等。

 回收貼片電容,直插電容,安規電容,陶瓷電容,電解電容,鉭電容,磁珠,電感,電阻,晶振,直插晶振,貼片晶振,32.768MHZ,低壓電容,大電解電容,熱敏電阻,光敏電阻等。

 回收4G模塊,3G模塊,GPRS模塊,通信模塊,發射模塊,功率模塊,藍牙模塊,wi-fi模塊,無線模塊,電源模塊,光纖模塊,IG模塊等。

 回收高頻管,IG管,晶體管,MOS管,場效應管,三極管,二極管,貼片三極管,直插三極管,進口三極管,國產三極管,激光管,發射管,紅外管,數碼管等。

需求DDR內存MT29E2T08CUHBBM4-3:B
連接固態繼電器時,注意直流控制電壓的大小與極性。對于交流型固態繼電器,其輸出端加RC吸收回路是必需的,在購買期間時,應該弄清型號內是否配置了RC吸收回路,可能有的裝了,有的沒有裝,對于感性負載,尤其是重感性負載,除配置了RC吸收回路外,還應增加壓敏電阻器。壓敏電阻器的標稱工作電壓可選電源電壓有效值的1.9倍。9.焊接時間問題,在使用針孔焊接式SSR和觸發是SSR時,氣焊接溫度不應該高于260℃,焊接時間小于10S,對于螺絲固定式SSR,應該加墊圈防止松動,而且扭勁不宜過大,防止期間損壞。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
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H58G56AK6VX032
H58G56MK6BX024
H58G56MK6PX024
H58G56MK6QX024
H58G56MK6VX024
H58G66MK6BX026
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H58G66MK6VX026
H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042



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