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隨著兩家公司的合作消息傳出，業界對臺積電將承擔多少基礎芯片生產過程的疑問增多。SK海力士通過臺積電的代工廠工藝生產HBM4基礎芯片的原因是為了滿足客戶對HBM定制化的需求。為此，兩家公司在4月份在臺灣臺北簽署了關于HBM4基礎芯片生產的諒解備忘錄（MOU）。業界預計，SK海力士將通過臺積電的7納米工藝生產HBM4基礎芯片。HBM4 12層產品的量產預計將在明年下半年進行。16層產品則計劃在2026年開始量產。SK海力士在HBM4量產中也將采用與HBM3E相同的先進多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技術和1bnm DRAM。
下面進行寫數據的驗證，在程序中將DeviceData.ctrl任意賦值，然后再modsim中查看：寫入數據賦值寫入成功可以看到modsim3中相應地址的數據也已經變化，而其他模擬設備中并沒有改變。其他在實際的項目中，變頻器控制，通訊參數和數據地址一般都是設備(從站)規定好的，我們需要查閱設備手冊，在程序中做相應的設置即可，通過通訊獲取的數據可以有觸摸屏顯示出來，方便操作人員監控設備狀態，也可以做一寫判斷，用于設備的報警等處理。
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