回收FLASH閃存K4FHE3D4HM-TFCL
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存儲產能沖突，消費類終端面臨供需兩弱的挑戰與此同時，由于HBM對原廠產能的直接擠占效應，各家原廠均透露出通用型DRAM產品供應受限的擔憂：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程沖突，在相同制程下，生產同樣bit量的產品，HBM3E消耗的晶圓量約是DDR5的兩至三倍。此外，HBM生產過程中需要TSV封裝，因此HBM生產周期較DDR5增加1.5~2個月，且先進HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶頸可能需要2～3年時間，HBM對傳統存儲芯片產能的排擠僅僅只是開端。存儲原廠將更多的產能分配至服務器市場，加上傳統產品和存儲技術的迭代升級，消費類終端面臨著存儲資源結構性緊缺的挑戰，在肩負著巨大的成本壓力之下，終端不惜降低存儲配置來削減成本，這顯然也不是供應端愿意看到的局面。
舉例說明它的用法。1:MOVK5D0。意思就是說把常數K5寫入D0。使D0＝K5。上面說的常數K，H在程序執行中自動轉化為二進制寫入D0。2:MoVk5k1y0]就是把5這個數轉化為2進制、即是0101。以二進制的數值控制組合位原件Y0到Y3的狀態。0為低電位、1為高電位體現在1組（k1）也就是4個輸出口上、由y0開始也就是y3y2y1y0，對應0101則y0和y2輸出。y1和y3停止。3:MOVK1X0K1Y0。
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