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存儲產能沖突，消費類終端面臨供需兩弱的挑戰與此同時，由于HBM對原廠產能的直接擠占效應，各家原廠均透露出通用型DRAM產品供應受限的擔憂：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程沖突，在相同制程下，生產同樣bit量的產品，HBM3E消耗的晶圓量約是DDR5的兩至三倍。此外，HBM生產過程中需要TSV封裝，因此HBM生產周期較DDR5增加1.5~2個月，且先進HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶頸可能需要2～3年時間，HBM對傳統存儲芯片產能的排擠僅僅只是開端。存儲原廠將更多的產能分配至服務器市場，加上傳統產品和存儲技術的迭代升級，消費類終端面臨著存儲資源結構性緊缺的挑戰，在肩負著巨大的成本壓力之下，終端不惜降低存儲配置來削減成本，這顯然也不是供應端愿意看到的局面。
OC門OC門和OD門它們的定義如下：OC：集電極開路（OpenCollector）OD：漏極輸出（OpenDrain）這是相對于兩個不同的元器件而命名的，OC門是相對于三極管而言，OD門是相對于MOS管。我們先來分析下OC門電路的工作原理：當INPUT輸入高電平，Ube0.7V，三極管U3導通，U4的b點電位為0，U4截止，OUTPUT高電平當INPUT輸入低電平，Ube0.7V，三極管U3截止，U4的b點電位為高，U4導通，OUTPUT低電平OC門電路其中R25為上拉電阻：何為上拉電阻？將不確定的信號上拉至高電平。
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