求購存儲芯片Z9HWRMT41J128M8BY-15EES:B


長期收購電子元器件，收購BGA，回收內存 ，回收IC，回收三極管 ，回收鉭電容，回收電容，回收電解電容，回收模塊，回收IG模塊，回收通信模塊，回收邏輯IC，回收家電IC，回收手機IC，回收字庫，回收FLASH，回收霍爾元件，回收單片機，回收繼電器，回收PIC單片機，回收C8050F單片機，回收ATMEG單片機，回收AT91單片機，回收STC單片機，回收R5F單片機，回收電感，回收STM32F單片機，回收硬盤，回收CPU，回收一切電子料。
半導體設備大廠應用材料公布2024會計年度第2季(截至2024年4月28日為止)財報：營收報66.46億美元、略高于一年前同期的66.30億美元，優于分析師預估的65.4億美元；毛利潤47.4%，同比增長0.7個百分點；營業利潤率28.8%，同比持平；凈利潤17.22億美元，同比增長9%。按業務分，半導體系統營收年減1.5%至49.01億美元。其中，晶圓代工、邏輯與其他半導體系統占該財季半導體系統營收的65%，低于一年前的84%；DRAM占比自11%升至32%，NAND Flash自5%降至3%。
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H5AN8G6NCJR-XNI
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H5ANAG4NAJR-XNC
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H5ANAG6NDMR-XNC
H5ANAG6NMJR-XNC
H5ANAG8NAJR-XNC
H5ANAG8NCJR-XNC
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H5GH24AFR-T2C
H5GH24AJR-R0C
H5GH24AJR-R4C
H5GH24AJR-T2C
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H5GC8H24AJR-R0C
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回收陀螺儀，六軸陀螺儀，角度傳感器，距離傳感器，博世傳感器，溫度傳感器，光線傳感器，三軸陀螺儀，九軸陀螺儀等。

 回收貼片電容，直插電容，安規電容，陶瓷電容，電解電容，鉭電容，磁珠，電感，電阻，晶振，直插晶振，貼片晶振，32.768MHZ，低壓電容，大電解電容，熱敏電阻，光敏電阻等。

 回收4G模塊，3G模塊，GPRS模塊，通信模塊，發射模塊，功率模塊，藍牙模塊，wi-fi模塊，無線模塊，電源模塊，光纖模塊，IG模塊等。

 回收高頻管，IG管，晶體管，MOS管，場效應管，三極管，二極管，貼片三極管，直插三極管，進口三極管，國產三極管，激光管，發射管，紅外管，數碼管等。


三極管，全稱半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
H58G56AK6QX032
H58G56AK6VX032
H58G56MK6BX024
H58G56MK6PX024
H58G56MK6QX024
H58G56MK6VX024
H58G66MK6BX026
H58G66MK6PX026
H58G66MK6QX026
H58G66MK6VX026
H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042