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隨著兩家公司的合作消息傳出，業界對臺積電將承擔多少基礎芯片生產過程的疑問增多。SK海力士通過臺積電的代工廠工藝生產HBM4基礎芯片的原因是為了滿足客戶對HBM定制化的需求。為此，兩家公司在4月份在臺灣臺北簽署了關于HBM4基礎芯片生產的諒解備忘錄（MOU）。業界預計，SK海力士將通過臺積電的7納米工藝生產HBM4基礎芯片。HBM4 12層產品的量產預計將在明年下半年進行。16層產品則計劃在2026年開始量產。SK海力士在HBM4量產中也將采用與HBM3E相同的先進多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技術和1bnm DRAM。
三星在HBM領域也取得了顯著進步。公司預告了HBM3E 12層產品將在第二季度內量產，并顯示出在市場上保持地位的意愿。同時，三星強調，由于HBM產品與客戶的緊密協商，因此供應過剩的擔憂較小。此次記者招待會上提出的言論和計劃，對加深業界對HBM技術現狀和未來的理解將起到重要作用。特別是，兩家公司都顯示出通過HBM確保在下一代半導體市場中的地位的意愿。這可能會成為未來半導體技術競爭中一個重要的轉折點，并可能對技術市場的走向產生重要影響。
PIC的輸入端子除了可以接通有觸點的開關外，還可以接一些無觸點開關，如無觸點接近開關，當金屬體靠近探測頭時，內都的晶體管導通，相當于開關閉合。根據晶體管的不同，無觸點接近開關可分為NPN型和PNP型，根據引出線數量不同，可分力3線式和2線式。3線式無觸點接近開關的接線圖a是3線NPN型無觸點接近開關的接線它采用漏型輸入接線，在接線時將S／S端子與24V端子連接，當金屬體靠近接近開關時，內部的NPN型晶體管導通，X00輸入電路有電流流過，電流途徑是：24V端子S／S端子ーplc內部光電耦合器一X0端子編子接近開關ー0V端子，電流由公共端子（S／S端子）輸入，此為源型輸入。
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半導體制造業呈現出積極的復蘇跡象。報告顯示，電子產品銷售呈現增長勢頭，庫存水平穩定，晶圓廠的裝機產能也在提升，預示著下半年行業增長勢頭將進一步加強。


SEMI與TechInsights聯合發布的2024年季度半導體產業監控報告指出，上一季度電子產品銷售同比增長了1%，而本季度預計將實現5%的年增長。集成電路（IC）銷售在上季度同比增長了22%，本季度預計將增長21%，這一增長主要得益于高性能計算（HPC）芯片出貨量的增加以及存儲芯片價格的持續改善。此外，IC庫存在上季度也趨于穩定，預計本季度將進一步改善。


晶圓廠的已裝機產能上季度增長了1.2%，本季度預計將增長1.4%，預計每季度將超過4000萬片12英寸晶圓。大陸的產能增長率在各地區中，但晶圓廠的稼動率（尤其是成熟制程節點）仍然是一個擔憂點，預計上半年不會有顯著的復蘇跡象。存儲芯片廠的稼動率也低于預期，因為廠商繼續控制供應量。


半導體行業的資本支出也呈現出與晶圓廠稼動率相同的趨勢，保持謹慎態度。在去年第四季度年同比下降17%之后，今年季度又下降了11%，但預計第二季度將實現0.7%的小幅增長。本季度存儲芯片相關的資本支出預計將增長8%，而非存儲領域芯片的資本支出增長率將略高。

SPD是電子設備雷電防護中不可缺少的一種裝置，其作用是把竄入電力線、信號傳輸線的瞬時過電壓限制在設備或系統所能承受的電壓范圍內，或將強大的雷電流泄流入地，保護被保護的設備或系統不受沖擊。浪涌保護器的類型和結構按不同的用途有所不同，但它至少應包含一個非線性電壓限制元件。用于浪涌保護器的基本元器件有：放電間隙、充氣放電管、壓敏電阻、二極管和扼流線圈等。按其工作原理分類，SPD可以分為電壓開關型、限壓型及組合型。

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