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        發布時間: 2024-06-05 13:40 更新時間: 2024-11-02 08:04
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        存儲產能沖突,消費類終端面臨供需兩弱的挑戰與此同時,由于HBM對原廠產能的直接擠占效應,各家原廠均透露出通用型DRAM產品供應受限的擔憂:由于HBM和DDR和LPDDR5X制程沖突,在相同制程下,生產同樣bit量的產品,HBM3E消耗的晶圓量約是DDR5的兩至三倍。此外,HBM生產過程中需要TSV封裝,因此HBM生產周期較DDR5增加1.5~2個月,且先進HBM的TSV良率仍有待提升,完全突破良率瓶頸可能需要2~3年時間,HBM對傳統存儲芯片產能的排擠僅僅只是開端。存儲原廠將更多的產能分配至服務器市場,加上傳統產品和存儲技術的迭代升級,消費類終端面臨著存儲資源結構性緊缺的挑戰,在肩負著巨大的成本壓力之下,終端不惜降低存儲配置來削減成本,這顯然也不是供應端愿意看到的局面。
        }}}接下來我們要討論解析后我們數據存儲的問題,其實在資源比較足夠的情況下或者能夠擠出data區的情況下可以考慮用結構體,我們構造好相應結構體,將接收到的數據存儲進去,要應用的時候就十分方便。但這也有個矛盾,一般c51定義的結構體都被存儲在data區,一般通訊的字節量大空間必然不夠,存在一個矛盾,可以采用聯合體union進行存儲效果會好一點。當然也可以在保存數據時采用定義在xdata區(片外)的buffer來存儲。
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