長期收購電子元器件,收購BGA,回收內存 ,回收IC,回收三極管 ,回收鉭電容,回收電容,回收電解電容,回收模塊,回收IG模塊,回收通信模塊,回收邏輯IC,回收家電IC,回收手機IC,回收字庫,回收FLASH,回收霍爾元件,回收單片機,回收繼電器,回收PIC單片機,回收C8050F單片機,回收ATMEG單片機,回收AT91單片機,回收STC單片機,回收R5F單片機,回收電感,回收STM32F單片機,回收硬盤,回收CPU,回收一切電子料。
江波龍獲得一項發明專利授權,專利名為“一種DRAM的電壓控制電路、內存條及電子設備”,專利申請號為CN202010167846.X,授權日為2024年5月14日。專利摘要:本申請提供一種DRAM的電壓控制電路,包括:單片機,與內存條上的SPD芯片連接;調壓電路,與所述單片機連接,并與所述內存條上的至少一個DRAM連接,用于響應所述單片機的指令,對所述至少一個DRAM中的一個的電行調壓。本申請實現了對DRAM的電壓控制,無需在DRAM內單獨設計調壓電路,實現簡單,成本低且周期短,并且通過相互連接的單片機和調壓電路,大大提高DRAM顆粒運行的穩定性和兼容性。今年以來江波龍新獲得專利授權13個,較去年同期增加了62.5%。結合其2023年年報財務數據,2023年公司在研發方面投入了5.94億元,同比增66.74%。
H5AN8G6NCJR-XNC
H5AN8G6NCJR-XNI
H5AN8G6NDJR-XNC
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H5AN8G8NDJR-XNC
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H5ANAG6NCMR-XNC
H5ANAG6NDMR-XNC
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H5ANAG8NAJR-XNC
H5ANAG8NCJR-XNC
H5ANAG8NCMR-XNC
H5GH24AFR-T2C
H5GH24AJR-R0C
H5GH24AJR-R4C
H5GH24AJR-T2C
H5GH24AJR-T2C
H5GC8H24AJR-R0C
H5GC8H24AJR-R0C
H5GC8H24AJR-R2C
H5GC8H24MJR-R0C
H5GC8H24MJR-T2C
回收陀螺儀,六軸陀螺儀,角度傳感器,距離傳感器,博世傳感器,溫度傳感器,光線傳感器,三軸陀螺儀,九軸陀螺儀等。
回收貼片電容,直插電容,安規電容,陶瓷電容,電解電容,鉭電容,磁珠,電感,電阻,晶振,直插晶振,貼片晶振,32.768MHZ,低壓電容,大電解電容,熱敏電阻,光敏電阻等。
回收4G模塊,3G模塊,GPRS模塊,通信模塊,發射模塊,功率模塊,藍牙模塊,wi-fi模塊,無線模塊,電源模塊,光纖模塊,IG模塊等。
回收高頻管,IG管,晶體管,MOS管,場效應管,三極管,二極管,貼片三極管,直插三極管,進口三極管,國產三極管,激光管,發射管,紅外管,數碼管等。
兩路比較器的輸出端與R-S觸發器的置位和復位相接,從而決定芯片3腳輸出端的電平狀態。當芯片2腳(/TR端)輸入信號電壓低于1/3Vcc時,N1輸出端為“0”,R-S觸發器被置位,芯片3腳變高電平,(在復位信號未輸入之前)并保持;當芯片6腳輸入電壓高于2/3Vcc時,N2輸出端為“1”,R-S觸發器被復位(在置位信號未輸入之前)并保持。芯片4為優先復位端(低電平有效),不用時可接Vcc。顯然,作為開關電路應用時,只要控制芯片2腳電壓低于1/3Vcc,電路處于“開”態(3腳為“1”);控制芯片6腳高于2/3Vcc,電路即處于“關”態(3腳為“0”),即為開關(雙穩態)電路。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
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H58G56MK6BX024
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H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042
- 回收高速HBM3EZ9RQG MT41DCDA-V88A:J 2024-11-02
- 回收EMMC閃存K3QF2F200A-XGCE 2024-11-02
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