TH58NVG6H2HTAK0回收東芝閃存

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隨著兩家公司的合作消息傳出，業界對臺積電將承擔多少基礎芯片生產過程的疑問增多。SK海力士通過臺積電的代工廠工藝生產HBM4基礎芯片的原因是為了滿足客戶對HBM定制化的需求。為此，兩家公司在4月份在臺灣臺北簽署了關于HBM4基礎芯片生產的諒解備忘錄（MOU）。業界預計，SK海力士將通過臺積電的7納米工藝生產HBM4基礎芯片。HBM4 12層產品的量產預計將在明年下半年進行。16層產品則計劃在2026年開始量產。SK海力士在HBM4量產中也將采用與HBM3E相同的先進多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技術和1bnm DRAM。
美光AI服務器展望：美光認為2024年整體服務器出貨量將同比增長中到高個位數，其中AI服務器同比增長更高，傳統服務器的增長將是溫和的，而GPU平臺采用的HBM容量穩步增長，如一些新GPU平臺搭載的HBM容量進一步增長33%至192GB。HBM產能策略：美光目標是在2025年其HBM的市場份額與DRAM的份額保持一致，而HBM產量增加將限制非HBM產品的供應增長。在整個行業范圍內，同一技術節點下生產相同數量的Bit，HBM3E消耗的晶圓供應量約是DDR5的三倍，HBM的強勁需求以及HBM產品路線圖的持續發展，將導致終端市場DRAM供應出現緊張現象。HBM產品發展：美光已開始出貨HBM3E產品，將供應至Nvidia H200 Tensor Core GPU，正與多個客戶在其他平臺進行認證。美光2024年HBM產能已售罄，2025年絕大多數供應已被分配，部分價格已確定，預計HBM3E 12H將在2025年大量生產并增加更多的產品組合。
三相鼠籠式異步電動機是當前工礦企業中應用Zui廣泛的電動機，其電機繞組的接線方法分星形接法Y和三角形接法Δ，下面介紹錯誤接線帶來的后果。定子繞組星形運行的電動機，其每相繞組承受的電壓即相電壓是電動機額定電壓(電源線電壓)的1/3倍(0.58倍)。若錯接成三角形運行，即相電壓升高至廠家規定的1.73倍。，電源電壓380伏，星形運行，相電壓為220伏，接成三角形，則相電壓升高至380伏。由于繞組的相電壓升高，鐵芯將高度飽和，鐵芯磁通的勵磁電流將急劇增加，再加上負載電流，定子繞組電流大大增加，將使繞組銅損急劇增大，Zui終導致定子繞組過熱燒毀。
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半導體制造業呈現出積極的復蘇跡象。報告顯示，電子產品銷售呈現增長勢頭，庫存水平穩定，晶圓廠的裝機產能也在提升，預示著下半年行業增長勢頭將進一步加強。


SEMI與TechInsights聯合發布的2024年季度半導體產業監控報告指出，上一季度電子產品銷售同比增長了1%，而本季度預計將實現5%的年增長。集成電路（IC）銷售在上季度同比增長了22%，本季度預計將增長21%，這一增長主要得益于高性能計算（HPC）芯片出貨量的增加以及存儲芯片價格的持續改善。此外，IC庫存在上季度也趨于穩定，預計本季度將進一步改善。


晶圓廠的已裝機產能上季度增長了1.2%，本季度預計將增長1.4%，預計每季度將超過4000萬片12英寸晶圓。大陸的產能增長率在各地區中，但晶圓廠的稼動率（尤其是成熟制程節點）仍然是一個擔憂點，預計上半年不會有顯著的復蘇跡象。存儲芯片廠的稼動率也低于預期，因為廠商繼續控制供應量。


半導體行業的資本支出也呈現出與晶圓廠稼動率相同的趨勢，保持謹慎態度。在去年第四季度年同比下降17%之后，今年季度又下降了11%，但預計第二季度將實現0.7%的小幅增長。本季度存儲芯片相關的資本支出預計將增長8%，而非存儲領域芯片的資本支出增長率將略高。

變頻器接線要求1)變頻器和電機的距離應該盡量的短。這樣減小了電纜的對地電容，減少干擾的發射源。2)電機電纜應獨立于其它電纜走線，其距離為500mm。同時應避免電機電纜與其它電纜長距離平行走線，這樣才能減少變頻器輸出電壓快速變化而產生的電磁干擾。如果控制電纜和電源電纜交叉，應盡可能使它們按90度角交叉。與變頻器有關的模擬量信號線與主回路線分開走線，即使在控制柜中也要如此。3)模擬量控制線選用線，一端接變頻器控制電路的公共端(COM)，不要接變頻器地端或大地，另一端懸空;動力電纜選用或者從變頻器到電機全部用穿線管，或遵從變頻器的用戶手冊。
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