日本電信商軟銀宣布，將在2024-2025年度期間砸下1,500億日圓擴增AI算力基礎設施，目標將AI算力擴增至現行的約37倍，日本將對軟銀上述AI算力擴增計劃補助421億日圓。此次計劃新建置的AI算力基礎設施將采用包含款Blackwell架構GPU在內的英偉達加速運算平臺，軟銀也將成為Zui早導入NVIDIA DGX SuperPOD平臺(搭載DGX B200系統)的企業之一。包含DGX B200系統在內、此次新建置的AI算力基礎設施整體算力將達25EFLOPS，屆時軟銀整體算力將達現行(0.7EFLOPS)的約37倍。KLMB8GFE4B-B001高價回收芯片
長期回收工廠庫存電子元器件，回收單片機，回收內存，回收IC，回收繼電器，回收BGA，回收3G模塊，回收4G模塊，回收霍爾元件，回收IG模塊，回收5G模塊，回收通訊模塊，回收GPS模塊，回收模塊，回收MCU微控制器芯片，回收電源IC，回收工業IC，回收電容，回收電感，回收電阻，回收光耦，回收FLASH，回收內存條，回收SD卡，回收CF卡，回收單片機，芯片，回收高頻管，回收傳感器IC，以及各種電子物料長期回收。
高價回收芯片
存儲產能沖突，消費類終端面臨供需兩弱的挑戰與此同時，由于HBM對原廠產能的直接擠占效應，各家原廠均透露出通用型DRAM產品供應受限的擔憂：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程沖突，在相同制程下，生產同樣bit量的產品，HBM3E消耗的晶圓量約是DDR5的兩至三倍。此外，HBM生產過程中需要TSV封裝，因此HBM生產周期較DDR5增加1.5~2個月，且先進HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶頸可能需要2～3年時間，HBM對傳統存儲芯片產能的排擠僅僅只是開端。存儲原廠將更多的產能分配至服務器市場，加上傳統產品和存儲技術的迭代升級，消費類終端面臨著存儲資源結構性緊缺的挑戰，在肩負著巨大的成本壓力之下，終端不惜降低存儲配置來削減成本，這顯然也不是供應端愿意看到的局面。
回收電子元件，芯片回收 ，pcb板，鍍金板回收，手機板回收 服務器版 鍍金線路板回收 線路板回收，線路板回收，廢舊線路板回收，廢舊電子類回收，舊電子，庫存電子元件，電子元器件，集成電路，IC塊，芯片，二極管，三極管，模塊，電容，電阻 高通芯片，電腦配件，內存條，CPU，硬盤，SSD固態硬盤，3G模塊，4G模塊，射頻IC，高頻管，光耦，霍爾元件，傳感器IC，陀螺儀IC，攝像IC，BGA芯片，IG模塊，通訊模塊,GPS模塊，藍牙芯片，WiFi芯片等等電子物料，電子IC元器件。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
H58G56AK6QX032
H58G56AK6VX032
H58G56MK6BX024
H58G56MK6PX024
H58G56MK6QX024
H58G56MK6VX024
H58G66MK6BX026
H58G66MK6PX026
H58G66MK6QX026
H58G66MK6VX026
H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042

回收內存閃存DDR3,DDR4,DDRIII,DDRIIII,EMMC,EMCP,UMCP,UFS,EUFS,LPDDR3,LPDDR4,GDDR5,GDDR6,DDR3臺式電腦內存條，DDR3筆記本內存條，DDR4臺式電腦內存條，DDR4筆記本內存條

回收時間繼電器，功率繼電器，中間繼電器，電磁繼電器，固體繼電器，溫度繼電器，舌簧繼電器，干簧繼電器，高頻繼電器，大功率繼電器，密封繼電器，敞開式繼電器，感應繼電器，信號繼電器等。

 回收光電耦合器，光電隔離器，電源，開關電源，邏輯門電路，集成電路，液晶邏輯板，變壓器，散熱片，咪頭，導航屏，電位器，編程器，仿真器，高壓條，線路板，軟排線，高頻頭等。
回收固態硬盤，回收芯片
TH58TEG9E2HBA89
TH58TFG9EFLBA89
TH58TEG9EDJBA89
TH58TEG9E2HBA89
TH58TFG9EFKBA8K
TH58TEG9DDKBAEF
TH58TEG9DDKBA8H
TH58TEG9EDJBA8C
TH58TEG9EDJBA89
TH58TEG9CDJBAS9
TH58TFT1DFLBA8P



NW953 MT29F4T08EUHBFM4-R:B 512G
NW980 MT29F4T08EQHBFG8-QA:B 512G
NW947 MT29F4T08GMHAFJ4:A 512G
NX862 MT29F4T08EUHBFM4-TES:B 512G
NX890 MT29F4T08EULCEM4-TES:C 512G
NW957 MT29F4T08EUHBFM4-T:B 512G
NW984 MT29F4T08EULCEM4-QJ:C 512G
NW969 MT29F4T08EQLCEG8-R:C 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NX970 MT29F4T08EULEEM4-TES:E 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NW786 MT29F512G08CMCBBH7-6ITC:B 64G
NW966 MT29F512G08EBHBFJ4-T:B 64G
NX886 MT29F512G08EBHBFJ4-TES:B 64G
NW928 MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 64G
NW747 MT29F512G08CMCCBH7-10C:C 64G
NW662 MT29F512G08CKCCBH7-10:C 64G
NX837 MT29F512G08EBHAFJ4-3RES:A 64G
NX967 MT29F512G08EBLEEJ4-TES:E 64G
NX671 MT29F512G08EMCBBJ5-6ES:B 64G
NW593 MT29F512G08CKCABH7-10:A 64G
NW524 MT29F512G08CKCABH7-6Q:A 64G
NW860 MT29E6T08ETHBBM5-3:B 768G
NW894 MT29E6T08ETHBBM5-3D:B 768G
NW852 MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B 96G
NW856 MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 96G
NX748 MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B 96G\



TN-C系統TN-C系統在TN-C接地系統中，地線和中性線是合二為一的。PEN線就是我們熟知的零線。設備的外殼與PEN線相連。所以所謂的外殼接地線，其實就是保護接零。當系統中出現了嚴重的三相不平衡，即IIb和Ic不相等，則有：Ia+Ib+Ic不等于0，PEN會出現較大的電流。有人會問那這樣三相不平衡，家中電器外殼與PEN線相連不就有電壓了嗎？在TN-C接地系統中，變壓器中性點出口處直接接地，相當于把零線電壓給強制性地保持在零電位。