KLMCG4VERF-B041回收FLASH閃存
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存儲產能沖突，消費類終端面臨供需兩弱的挑戰與此同時，由于HBM對原廠產能的直接擠占效應，各家原廠均透露出通用型DRAM產品供應受限的擔憂：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程沖突，在相同制程下，生產同樣bit量的產品，HBM3E消耗的晶圓量約是DDR5的兩至三倍。此外，HBM生產過程中需要TSV封裝，因此HBM生產周期較DDR5增加1.5~2個月，且先進HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶頸可能需要2～3年時間，HBM對傳統存儲芯片產能的排擠僅僅只是開端。存儲原廠將更多的產能分配至服務器市場，加上傳統產品和存儲技術的迭代升級，消費類終端面臨著存儲資源結構性緊缺的挑戰，在肩負著巨大的成本壓力之下，終端不惜降低存儲配置來削減成本，這顯然也不是供應端愿意看到的局面。
但如果積水過多，依舊會產生電管進水的情況。如果把水電管都安裝在頂上（依然是電管在水管上方），無論水管怎么漏水，電管都不會有進水的風險——除非漏出的水把整個房間都泡起來，當然，這種情況的可能性微乎其微。管道走頂的壞處壞處耗材增加上文說到，管道走頂的做法是取消所有墻面上的橫向開槽，改為縱向開槽。且水管走頂，為了固定起來更方便，需要沿著墻壁走管，距離也就更長。這樣一來，勢必會造成耗材的浪費——增加不少管件的用量。
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