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W25Q64FVSFIF回收LPDDR34X
發布時間: 2024-07-03 10:29 更新時間: 2024-11-02 08:04
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羅斯特科技(Orostech)正在從專業工藝測量和檢查(MI)企業轉型為提供前后工序MI服務的企業。該公司在提供去年的晶圓翹曲(Wafer Warpage)檢查設備后,進一步擴大了后工序Overlay設備供應。據16日的公告,奧羅斯特科技將向三星電子供應HBM用的PAD Overlay設備,合同價值為48億韓元,盡管確切數量尚未披露,但預計將供應多臺設備。新供應的設備將在HBM制造的PAD工藝中用于測量PAD Overlay。如果在此過程中PAD和凸點(Bump)之間的對齊出現偏差,可能會影響硅通孔(TSV)的產量,進而影響整體的良率。目前,業界已知的HBM3E的TSV良率約為40-60%。隨著HBM4等下一代HBM技術的發展,I/O數量將增加到2048個,PAD Overlay的度將變得更加重要。
但是蜂鳴器的壓降很難獲知,而且有些蜂鳴器的壓降可能變動,這樣一來基極電阻阻值就很難選擇,阻值選擇太大就會驅動失敗,選擇太小,損耗又變大。d電路也會出現同樣的問題,所以不建議選用圖二的這兩種電路。圖三這兩個電路,電路的驅動信號為3.3VTTL電平,常出現在3.3V的MCU電路設計中,如果不注意就很容易就設計出這兩種電路,而這兩種電路都是錯誤的。先分析e電路,這是典型的“發射極正偏,集電極反偏”的放大電路,或者叫射極輸出器。
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