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江波龍獲得一項發明專利授權，專利名為“一種DRAM的電壓控制電路、內存條及電子設備”，專利申請號為CN202010167846.X，授權日為2024年5月14日。專利摘要：本申請提供一種DRAM的電壓控制電路，包括：單片機，與內存條上的SPD芯片連接；調壓電路，與所述單片機連接，并與所述內存條上的至少一個DRAM連接，用于響應所述單片機的指令，對所述至少一個DRAM中的一個的電行調壓。本申請實現了對DRAM的電壓控制，無需在DRAM內單獨設計調壓電路，實現簡單，成本低且周期短，并且通過相互連接的單片機和調壓電路，大大提高DRAM顆粒運行的穩定性和兼容性。今年以來江波龍新獲得專利授權13個，較去年同期增加了62.5%。結合其2023年年報財務數據，2023年公司在研發方面投入了5.94億元，同比增66.74%。



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速度：TH58TFT1EFLBA8P PCIE固態硬盤采用先進的固態存儲技術，具備更快的讀寫速度和更短的響應時間。無論是打開應用程序、加載游戲還是傳輸大文件，都能夠提供令人滿意的速度體驗。
容量：TH58TFT1EFLBA8P PCIE固態硬盤提供多種容量選擇，從小容量到大容量，滿足不同用戶的存儲需求。無論是存儲照片、還是安裝大型游戲，都能夠輕松勝任。
穩定性：TH58TFT1EFLBA8P PCIE固態硬盤采用可靠的閃存芯片和高性能控制器，具備出色的穩定性和耐用性。即使在長時間高負載工作狀態下，也能保持卓越的性能表現。
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