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整體來看，三星、SK海力士和美光三大原廠，無一例外對于AI服務器需求展望持樂觀態度，原廠普遍認為AI服務器對HBM以及高性能高容量eSSD需求正快速增長，因此正積極調集可利用的NAND及DRAM產能，全力支持AI服務器相關的eSSD和HBM的供應增長。AI發展下半場的隱憂：AI大規模商業化尚需時日，大規模投產的HBM是否會供過于求？目前AI服務器市場正處于快速增長的初期階段，、微軟、谷歌、Meta等一眾互聯網科技巨頭均強調，AI基礎設施投資將驅動今年資本支出同比增長，國內互聯網公司和相關設備公司也均在全力推進AI技術的發展，部署AI服務器自然是新增AI投資的重中之重，這也為AI技術的長期發展奠定基礎。不過，AI發展的下半場仍有很多值得深思的地方。
使用外加電阻的驅動：步進電機的繞組使用粗導線時，線圈電阻Rw值很小，如下圖所示。在各相線圈中，串聯外部電阻R，為的是限制繞組流過的電流小于額定電流I。限制繞組流過電流的方法，可采用降低電源電壓和串聯外部電阻R的兩種方法。假設步進電機的線圈電感為L，繞組電阻為Rw電氣時間常數為τ，外加電阻R時，電氣時間常數公式如下：外加電阻使時間常數τ變小，電流上升比較快，從而使步進電機的驅動脈沖頻率變快，上圖所示為無外部電阻與帶外部電阻R的電流上升曲線的比較，t1時刻，沒有電阻R時，電流只上升到I1，有電阻R時，電流上升到I2，使高速時的轉矩得到很大的改善；缺點是銅耗增大。
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