旺宏電子4月營收21.18億元（新臺幣，下同）、月增0.2%、年減29.6%，累計前4月營收為78.78億元、年減22.1%，旺宏電子3D NOR Flash已于去年完成芯片測試，其中以4Gb產品進度Zui快，預估在今年下半年進入市場，并于明年量產。旺宏強調，原有的NOR Flash產品在市場上約有2成的占有率，研發的3D堆疊方式產品將瞄準車用等高利基型市場。3D NAND Flash新品，目前則在Zui后制程調整階段，主要出貨給任天堂游戲片使用，預期今年下半年完成送樣，并在明年下半年開始挹注收益。此外，旺宏電子與IBM合作開發的SSD以300多層3D NAND Flash堆疊，預計開發期需要三年時間，未來公司的晶圓廠將會著力于生產3D NAND Flash，控制芯片則會委外代工。NW851NW964回收FLASH閃存
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在半導體產業高速發展的背景下，高帶寬內存（High Bandwidth Memory, HBM）領域三星和SK海力士之間的技術競爭日益激烈。近一個月來，對HBM的興趣急劇上升。特別是HBM3E和HBM4產品的進展引起了業界的關注，這些公司的步伐也在加快。認為，HBM已經逐漸形成了如NAND或DRAM等獨立的產品類別，并預計銷售額將繼續增長。據Zui近的數據顯示，預計明年HBM將占據DRAM銷售額的30%。這表明HBM不僅僅是技術趨勢，它已經成為了半導體市場的重要組成部分。
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從執行機構上讀取離散量輸入（多個位）的內容；03H讀取保持寄存器。從執行機構上讀取保持寄存器（16位字）的內容；04H讀取輸入寄存器。從執行機構上讀取輸入寄存器（16位字）的內容；05H強置單線圈。寫數據到執行機構的線圈（單個位）為“通”（“1”）或“斷”（“0”）；06H預置單寄存器。寫數據到執行機構的單個保持寄存器（16位字）；0FH強置多線圈。寫數據到執行機構的幾個連續線圈（單個位）為“通”（“1”）或“斷”（“0”）；10H預置多寄存器。