TH58TFG9UHLBADE回收閃存固態顆粒專注專業
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存儲產能沖突，消費類終端面臨供需兩弱的挑戰與此同時，由于HBM對原廠產能的直接擠占效應，各家原廠均透露出通用型DRAM產品供應受限的擔憂：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程沖突，在相同制程下，生產同樣bit量的產品，HBM3E消耗的晶圓量約是DDR5的兩至三倍。此外，HBM生產過程中需要TSV封裝，因此HBM生產周期較DDR5增加1.5~2個月，且先進HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶頸可能需要2～3年時間，HBM對傳統存儲芯片產能的排擠僅僅只是開端。存儲原廠將更多的產能分配至服務器市場，加上傳統產品和存儲技術的迭代升級，消費類終端面臨著存儲資源結構性緊缺的挑戰，在肩負著巨大的成本壓力之下，終端不惜降低存儲配置來削減成本，這顯然也不是供應端愿意看到的局面。
θM為產生TM的角度。兩相PM型或兩相HB型的步距角一致。根據上式，以及《步進電機的基本特性：靜態、動態、暫態轉矩特性》一問中的式：θL=（2θM/π）arcsin（TL/TM）得知，負載轉矩TL決移角θL的大小。由于步進電機的負載決定角位置，因此一定負載轉矩TL時，θL越小，角度精度越高。因此希望步進電機靜態轉矩（保持轉矩）TM要大。連續測量TL與θL，就可以得到靜態轉矩特性曲線。步進電機的靜態轉矩特性，可以1相激磁，也可以2相激磁，A相與B相1相激磁轉矩公式如下式所示，其中角度θ為電氣角。
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