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H5AN4G6NBJR-VKI長期需求閃存內存
發布時間: 2024-09-09 07:36 更新時間: 2024-11-05 08:04
H5AN4G6NBJR-VKI長期需求閃存內存
羅斯特科技(Orostech)正在從專業工藝測量和檢查(MI)企業轉型為提供前后工序MI服務的企業。該公司在提供去年的晶圓翹曲(Wafer Warpage)檢查設備后,進一步擴大了后工序Overlay設備供應。據16日的公告,奧羅斯特科技將向三星電子供應HBM用的PAD Overlay設備,合同價值為48億韓元,盡管確切數量尚未披露,但預計將供應多臺設備。新供應的設備將在HBM制造的PAD工藝中用于測量PAD Overlay。如果在此過程中PAD和凸點(Bump)之間的對齊出現偏差,可能會影響硅通孔(TSV)的產量,進而影響整體的良率。目前,業界已知的HBM3E的TSV良率約為40-60%。隨著HBM4等下一代HBM技術的發展,I/O數量將增加到2048個,PAD Overlay的度將變得更加重要。
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NW969NW951
NX738NW426
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NW851NW964
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NW296NQ390
NW784NW509
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NW600NW782
NW776NW433
NW684JW686
NW542NW669
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NX656NW825
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NW727NW594
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