K4AAG085WB-MCPB長期大量高價收購
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三星AI服務器展望：三星認為AI服務器普及正加速，相關云服務應用進一步增長，AI服務器和傳統服務器的存儲需求均將增加，因此預計服務器相關的整體需求將保持強勁。HBM產能策略：由于大多數先進工藝產能集中在HBM上，非HBM產品的Bit增長可能會受到限制。預計2024年HBM供應量同比增長3倍以上，2025年HBM供應量將同比增長至少兩倍甚至更多，并且已與客戶就該供應量進行了順利談判。HBM產品發展：三星下半年將快速過渡到HBM3E，HBM3E 8H已提前開始量產，并加快業內HBM3E 12H的量產。HBM3E 12H采用TC-NCF技術，使12層和8層堆疊產品的高度保持一致，垂直密度較HBM3 8H提高20%以上，支持36GB容量，預計下半年開始大規模量產。
下面舉集電極調幅電路為例。是集電極調幅電路，由高頻載波振蕩器產生的等幅載波經T1加到晶體管基極。低頻調制信號則通過T3耦合到集電極中。CCC3是高頻旁路電容，RR2是偏置電阻。集電極的LC并聯回路諧振在載波頻率上。如果把三極管的靜態工作點選在特性曲線的彎曲部分，三極管就是一個非線件。因為晶體管的集電極電流是隨著調制電壓變化的，所以集電極中的2個信號就因非線性作用而實現了調幅。由于LC諧振回路是調諧在載波的基頻上，因此在T2的次級就可得到調幅波輸出。
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