隨著兩家公司的合作消息傳出，業界對臺積電將承擔多少基礎芯片生產過程的疑問增多。SK海力士通過臺積電的代工廠工藝生產HBM4基礎芯片的原因是為了滿足客戶對HBM定制化的需求。為此，兩家公司在4月份在臺灣臺北簽署了關于HBM4基礎芯片生產的諒解備忘錄（MOU）。業界預計，SK海力士將通過臺積電的7納米工藝生產HBM4基礎芯片。HBM4 12層產品的量產預計將在明年下半年進行。16層產品則計劃在2026年開始量產。SK海力士在HBM4量產中也將采用與HBM3E相同的先進多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技術和1bnm DRAM。TH58TEG7DDKLAKF東芝TH58TET1UDKBAEG
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存儲產能沖突，消費類終端面臨供需兩弱的挑戰與此同時，由于HBM對原廠產能的直接擠占效應，各家原廠均透露出通用型DRAM產品供應受限的擔憂：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程沖突，在相同制程下，生產同樣bit量的產品，HBM3E消耗的晶圓量約是DDR5的兩至三倍。此外，HBM生產過程中需要TSV封裝，因此HBM生產周期較DDR5增加1.5~2個月，且先進HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶頸可能需要2～3年時間，HBM對傳統存儲芯片產能的排擠僅僅只是開端。存儲原廠將更多的產能分配至服務器市場，加上傳統產品和存儲技術的迭代升級，消費類終端面臨著存儲資源結構性緊缺的挑戰，在肩負著巨大的成本壓力之下，終端不惜降低存儲配置來削減成本，這顯然也不是供應端愿意看到的局面。
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從這層電磁轉換的過程而言，可以讓“電磁”效應替代人做大電流通斷這個“體力活”，只要一個小指頭按一下一個小按鈕就可以滿足要求了，可以設想一下，你去直接打一個很大電流的空氣開關，可是相當費勁的事情，有了接觸器這些就讓人輕松很多。實際上，讓人干活輕松點只是繼電器和接觸器作用的一小方面，關鍵操作起來安全了，讓人離大電流和高電壓遠一點。同時接觸器和繼電器可以帶很多輔助觸頭或者中間觸點，這些觸點能用來組合可以實現各種復雜的控制邏輯，滿足工業上復雜的控制要求，讓設備更加智能點。