NW328NW628高價求購存儲芯片

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三星電子和英特爾等半導體公司正在研究定向自組裝 (DSA) 技術，以補償極紫外 (EUV) 工藝過程中出現的圖案錯誤。DSA是下一代圖案化技術之一，這一技術有望補充 EUV 過程中出現的隨機誤差。隨機是指隨機且非重復的圖案錯誤，已知占 EUV 圖案錯誤的 50%。業界預測，DSA技術將從使用High-NA EUV的1.4nm工藝和10nm以下的DRAM工藝開始正式引入。英特爾代工旗下邏輯技術開發部門光刻、硬件和解決方案主管Mark Philip日前表示，“使用 DSA（高數值孔徑 EUV）的研究正在進行中，通過應用 DSA，我們正在改進模式粗糙度（LER）。”英特爾在近期的中表示，其將 DSA 技術應用于 18nm 以下工藝，并成功糾正了 EUV 圖案中發生的隨機誤差。
35，相電流：三相電路中,流過每相上的電流稱為相電流。線電流：三相電路中,三根端線中的電流稱為線電流。36，損耗電場：把電荷(或帶電體)引入其他帶電體周圍的空間時，將會受到力的作用，就是說在帶電體周圍存在電場。37，電場強度：表示電場強弱的物理量。數值上等于單位正電荷在該點處所受的作用力，方向是正電荷受力的方向。用字母E表示，單位為V/m。38，擊穿：電介質在電場的作用下發生劇烈放電或導電的現象叫擊穿，絕緣強度又稱擊穿電場強度。
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