買賣閃存內存顆粒THGAFEG9T23BAB8

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三星電子和英特爾等半導體公司正在研究定向自組裝 (DSA) 技術，以補償極紫外 (EUV) 工藝過程中出現的圖案錯誤。DSA是下一代圖案化技術之一，這一技術有望補充 EUV 過程中出現的隨機誤差。隨機是指隨機且非重復的圖案錯誤，已知占 EUV 圖案錯誤的 50%。業界預測，DSA技術將從使用High-NA EUV的1.4nm工藝和10nm以下的DRAM工藝開始正式引入。英特爾代工旗下邏輯技術開發部門光刻、硬件和解決方案主管Mark Philip日前表示，“使用 DSA（高數值孔徑 EUV）的研究正在進行中，通過應用 DSA，我們正在改進模式粗糙度（LER）。”英特爾在近期的中表示，其將 DSA 技術應用于 18nm 以下工藝，并成功糾正了 EUV 圖案中發生的隨機誤差。

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