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三星電子和英特爾等半導體公司正在研究定向自組裝 (DSA) 技術，以補償極紫外 (EUV) 工藝過程中出現的圖案錯誤。DSA是下一代圖案化技術之一，這一技術有望補充 EUV 過程中出現的隨機誤差。隨機是指隨機且非重復的圖案錯誤，已知占 EUV 圖案錯誤的 50%。業界預測，DSA技術將從使用High-NA EUV的1.4nm工藝和10nm以下的DRAM工藝開始正式引入。英特爾代工旗下邏輯技術開發部門光刻、硬件和解決方案主管Mark Philip日前表示，“使用 DSA（高數值孔徑 EUV）的研究正在進行中，通過應用 DSA，我們正在改進模式粗糙度（LER）。”英特爾在近期的中表示，其將 DSA 技術應用于 18nm 以下工藝，并成功糾正了 EUV 圖案中發生的隨機誤差。
P柱接隨儀表配來的20m純銅導線，導線另一端接插針。C柱接隨儀表配來的40m純銅導線，導線的另一端接插針2。接地電阻測試儀設置的技術要求接地電阻測試儀應放置在離測試點1～3m處，放置應平穩，便于操作。每個接線頭的接線柱都必須接觸良好，連接牢固。兩個接地極插針應設置在離待測接地體左右分別為20m和40m的位置；如果用一直、線將兩插針連接，待測接地體應基本在這一直線上。不得用其他導線代替隨儀表配置來的5m、20m、40m長的純銅導線。
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